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尔必达发布50nm 2GB移动DRAM,明年量产

尔必达发布50nm 2GB移动DRAM,明年量产

  在本月初韩国半导体芯片制造厂商Hynix(海力士)发布了首款54nm工艺的2GB移动DRAM。日前,Elpida(尔必达)也宣告2GB移动DRAM研制成功,而且工艺为更先进的50nm。

  Elpida的50nm移动DRAM采用其铜互连技术以及193nm(ArF)浸入式光刻技术制作。具有超低功耗和高频率的特点。新产品通过优化MCP封装以及PoP封装等技术,满足了高容量和小体积的存储设备需求。采用基于DDR的x32-bit I/O,频率为200MHz,传输速度可达1.6GB/s,符合JEDEC标准1.8V,而且还支持1.2V工作电压以达到更低功耗。

  据称,这款50nm的2GB移动DRAM将会在明年上半年投入量产。

  Elpida官方公告

量产封装功耗技术采用宣告

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