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紧跟潮流,三星将推出8Gb 40nm闪存芯片

在我们仍在翘首期待40nm GPU的同时,三星已经宣布将推出40nm制程的Flex-OneNAND闪存芯片,应用于智能手机、高清电视、网络电视等设备。首款40nm Flex-OneNAND聚合型闪存的容量为8Gb,同时配备SLC和MLC芯片。
三星半导体企业的内存副总裁Jim Elliott表示,“40nm的Flex-OneNAND具有节能方便的优势,是内存产业的巨大进步。”
等制程工艺提升至40nm之后,三星的生产力将是60nm芯片(4Gb)的1.8倍。三星方面表示,除了制程上的改进,8Gb Flex-OneNAND还增加了嵌入式内存的软件支持。消息来源:[TCMagazine]
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