尔必达发布50nm2GB移动DRAM,明年量产,技术,功耗,封装,量产,采用,半导体,芯片,宣告,首款, 在本月初韩国半导体芯片制造厂商Hynix(海力士)发布了首款54nm工艺的2GB移动DRAM。日前,Elpida(尔必达)也宣告2GB移动DRAM研制成功,而且工艺为更先进的50nm。 Elpida的50nm移动DRAM采用其铜互连技术以及193nm(ArF)浸入式光刻技术制作。具有超低功耗和高频率的特点。新产品通过优化MCP封装以及PoP封装等技术,满...
2008-12-12 23:27:00技术量产 封装 功耗