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AMD状告Samsung侵犯其生产技术专利

AMD状告Samsung侵犯其生产技术专利

  目前有消息表示,AMD将起诉韩国厂商三星。三星并不是侵犯了AMD的什么芯片专利,而是在内存以及其他芯片的制作流程和手段上使用了AMD的专利。这些专利包括了在金属-硅化物接触面上的氮化处理;第二层积体电路结构具有的补偿自感效应;以及具有平滑边界的绝缘栅场效应器件;内存突发读取模式;节电元件的内部测试方法;以及提供控制背景影片的方法。

(原文如下:Nitrogen Treatment for Metal-Silicide Contact; the second Integrated Circuit Structure having Compensating Means for Self Inductance Effects; Insulated Gate Field Effect Device with a Smoothly Curved Depletion Boundary in the Vicinity of the Channel-Free Zone; Memories with Burst Mode Access; and Power Saving Feature for Components Having Built-In Testing Logic; and Method and Apparatus for Providing Control of Background Video.

  AMD是在三星的DRAM,SRAM,以及NAND闪存芯片上发现这些问题的。消息表示AMD早在2006年的4月份和三星就这些专利授权的问题展开过讨论。AMD当时送去了一份Powerpoint以详细解释如何将AMD的技术应用在新产品上。目前这些专利技术在三星的内存,手机,MP3,电视和打印机上都有使用。

[来源:The Inq]

专利内存效应状告消息硅化

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