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Thermalright南北桥/MOSFET散热器测试

　　我们在前些时的《超频三北海北桥散热器测试》中已经说过，目前在主板上的各种电气元件中，以供电模块和北桥芯片的发热量最大，其次就是南桥芯片和内存模块。而且随着处理器本身的发热量逐渐减少，主板上这些地方的发热问题就显得更加突出。

　用专用的红外线温度扫描仪可以清楚看到主板上热量聚集的地方，其中以北桥芯片，供电模块等部份温度最高。

　　不知道从哪一代主板开始，厂商们开始在北桥上覆盖一个小小的散热片为改善北桥的工作环境，有些还装上个小风扇来主动散热。英特尔最新的P35芯片，内置有4.5亿个晶体管，TDP达到16W，而这还是改进后的指标，在上一代965中，北桥TDP是19W，象Nvidia C55北桥，其TDP达到了23.9W。相比现在主流的Core 2 Duo处理器65W的TDP，北桥上那个小小的散热片是不是显得太寒掺了？

　庞大的CPU散热器和简朴的北桥散热片

　　南桥的发热量相对要小多了，所以针对南桥的散热处理更加简单，最多就是一个散热片而已。然而最新的ICH9南桥TDP也有4W，ICH8南桥TDP有4.1W。我们在实际中发现，南桥并非清凉一片，触手摸去也是相当的烫手。

　　对于超频来说，最有效的方法就是加电压，这无疑会给MOSFET（MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor，场效应管）的供电部分增加负担。而我们往往会忽略这部分的散热处理。电压加的越大，MOSFET承受的考验也越大。当MOSFET超过它所能承受的热度，自然就容易造成当机或是寿命减短的问题。

　　有鉴于此，许多主板厂商开发了一体化模块化的散热器，通常都是用热管来串联MOSFET和南北桥，这样的散热模块效果在我们的测试中还是很有限的，因为北桥的温度本来就不低温，当超频加压后，MOSFET和北桥的温度也都互相提升，而散热模块又没有足够的鳍片空间来自然排热，效果当然不显著。

　华硕P5K DELUXE的一体化散热模块

　　在华硕P5K DELUXE主板的一体化散热模块设计中，我们能看到这样设计的一些弊端，散热表面积太小，南桥、北桥和MOSFET管间的热量依据温差通过热管相互传递，说穿了，它就好比是一个散热片很少的散热器，却担负着给三个热源散热的责任。光从华硕这块主板来看，似乎是要将南桥的热量转移到北桥散热片上（否则南桥的散热片也不会做那么小），而将北桥上的热量再转移到MOSFET管的散热片上去（双热管传递热量，至少是也是把较高温度的那个热量转移到较低的那个之上），热能基本上就在南北桥和MOSFET三者这间窜来窜去，而不能有效的将热量转移到空气之中（散热片面积太小，而且还是被动散热）。